受全球經(jīng)濟(jì)下行影響，據(jù) Counterpoint Research 的 《智能手機(jī) 360 報(bào)告》，2023年，全球智能手機(jī)出貨量為近十年最低水平，即使到了第四季度也只是維持同期持平的狀態(tài)。2024年第一季度，隨著手機(jī)換機(jī)周期的開啟，AI智...

下游市場(chǎng)復(fù)蘇再加上AI浪潮驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體行業(yè)同步呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)，其中在摩爾定律不斷逼近物理極限大背景下，半導(dǎo)體前道和后道工序加速融合，更高效率、更低成本、更好性能的先進(jìn)封裝成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，并將重塑半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 截止目前，半導(dǎo)體封裝技術(shù)...

6月3日消息 新能源汽車行業(yè)在傳統(tǒng)銷售淡季中展現(xiàn)出非凡活力，5月份的銷售數(shù)據(jù)令人矚目，得益于“以舊換新”政策的強(qiáng)力推動(dòng)，車市呈現(xiàn)出“淡季不淡”的反常景象。多家知名新能源汽車制造商于6月2日發(fā)布了上月銷售業(yè)績(jī)，數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車銷量持續(xù)走高...

MOSFET和IGBT的主要區(qū)別在于它們的功率處理能力、開關(guān)速度、電壓降、成本、應(yīng)用適性以及性能權(quán)衡。1 功率處理能力：IGBT設(shè)計(jì)用于處理高電壓和大電流，因此在高功率應(yīng)用中如電力電子轉(zhuǎn)換器、大型電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電網(wǎng)操作等場(chǎng)合中表現(xiàn)出優(yōu)越的性能。...

芯片測(cè)試的全流程可以分為幾個(gè)關(guān)鍵步驟，涵蓋了從芯片的初步測(cè)試到最終測(cè)試的整個(gè)過程。以下是芯片測(cè)試的詳細(xì)流程： 1.芯片的初步測(cè)試，也稱為CP（Chip Probing）測(cè)試，主要在芯片未封裝之前進(jìn)行。這個(gè)階段被稱為晶圓測(cè)試（wafer t...

在科技的海洋中，晶圓和芯片無疑是最閃耀的明星。它們是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，為我們的電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的動(dòng)力。讓我們深入了解這兩者之間的關(guān)系及它們?nèi)绾喂餐茉炝宋覀兊母呖萍际澜纭?一、簡(jiǎn)介 晶圓：是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。...

隨著滲透率快速提升,新能源汽車消費(fèi)日漸深入人心。5月31日,中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)聯(lián)合懂車帝推出《2024新能源汽車消費(fèi)洞察報(bào)告》。報(bào)告顯示,2024年中國(guó)新能源車(含乘用車與商用車)滲透率預(yù)計(jì)將接近40%,且新能源車意向購買用戶已與燃油車旗鼓相...

第一步：選用N溝道還是P溝道 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET...